近期，英飛凌科技股份公司針對現在和未來的準諧振反激式拓撲趨勢，開發出全新的700V CoolMOSTM P7產品系列。較之目前使用的超級結工藝，這些全新MOSFET實現了前所未有的性能改進。諸如智能手機和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等軟開關拓撲均能受益于此優勢。

    此外，全新CoolMOS TM支持針對電視適配器、照明、音響和輔助電源的快速開關和高功率密度設計。此全新產品系列針對外形進行了改進，可支持纖巧型設計。

    與競爭對手的產品相比，全新700 V CoolMOS TM P7可將開關損耗（EOSS）降低27%-50%。在反激式充電器應用中，該工藝可將效率提高3.9%。此外，器件溫度可降低多達16K。相比之前的650 VC6，全新工藝可將效率提高2.4%，并將器件溫度降低12 K。

    內置齊納二極管確保ESD防護性能提高到HBM Class 2等級。客戶則可受益于提高的組裝成品率，而組裝成品率的提高有助于降低與生產相關的故障，最終節省制造成本。此外，由于具有很低的RDS(on)*Qg和RDS(on)*EOSS，700VCoolMOSTMP7具有低損耗特點。相比C6工藝以及某些競爭對手的器件而言，此全新產品系列的阻斷電壓提高了50 V。

    700V CoolMOS TM P7在開發過程中一直秉持易用性設計理念，VGSth為3 V，波動范圍僅為±0.5 V。這使得全新P7產品系列很容易被納入設計之中，并能使用更低的柵源電壓，從而使其更易于驅動，并降低空載損耗。特別是在價格敏感的細分市場，全新700V CoolMOS TM P7具有誘人的性價比，有助于客戶獲得更多的競爭優勢。<