推動高能效創新的安森美半導體，針對數據網絡、電信和工業應用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣的產品陣容。

    這些器件能提供低得令人難以置信的導通電阻RDS(on) 值，從而將導通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss)，確保保持盡可能低的驅動損耗。

    安森美半導體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏(V)，最大導通電阻值(Vgs為10 V時)分別為0.74毫歐(mΩ)、0.9 mΩ和2.8 mΩ，連續漏電流分別為352安(A)、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導通電阻分別為1.2 mΩ、 1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，而相關的連續漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作結溫都高達175 ˚C，從而為工程師的設計提供更大的熱余裕。安森美半導體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK 和 TO220來擴大此產品線。

    安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“OEM的工程團隊不斷致力于創建更高能效的電力系統設計，同時占用更少用板空間。我們新加的器件擴大了我們廣泛的功率MOSFET產品陣容，為客戶提供高性能的器件，采用緊湊的、高熱能效的封裝，幫助他們達到更高能效的設計目標。”<